[发明专利]一种三维结构石墨烯增强铜基复合材料的制备方法在审
申请号: | 201510874598.1 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105386003A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 亓钧雷;罗大林;陈树林;林景煌;王泽宇;冯吉才 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C14/18;C23C14/24;B22F3/105 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种三维结构石墨烯增强铜基复合材料的制备方法,本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合材料中,液态铜在石墨烯表面难润湿、界面处易形成孔洞和缺陷等,这导致石墨烯与铜的接触不充分,制作的石墨烯增强铜基复合材料导热性与导电性下降的问题。本发明的方法:首先采用化学气相沉积方法,在泡沫铜基体上制备三维石墨烯,然后在石墨烯表面上蒸镀一层铜,最后将蒸镀有铜的三维石墨烯/泡沫铜材料与铜粉进行放电等离子烧结。本发明用于三维结构石墨烯增强铜基复合材料的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 结构 石墨 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三维结构石墨烯增强铜基复合材料的制备方法,其特征在于它是按照以下步骤进行的:一、将泡沫铜置于丙酮中超声预处理10min~20min,得到预处理后的泡沫铜,将预处理后的泡沫铜置于化学气相沉积装置中,抽真空后,通入氢气,调节氢气气体流量为2sccm~20sccm,调节化学气相沉积装置中压强为105Pa,在压强为105Pa和氢气气氛下,将温度升温至800℃~1000℃,并在温度为800℃~1000℃下,退火处理10min~30min;二、通入甲烷,调节甲烷的气体流量为10sccm~100sccm,在压强为105Pa和温度为800℃~1000℃的条件下进行沉积,沉积时间为5min~60min,沉积结束后,关闭加热电源,停止通入甲烷,在氢气气氛下,冷却至室温,得到三维结构石墨烯/泡沫铜;三、将三维结构石墨烯/泡沫铜置于真空镀膜装置中,抽真空至5×10‑4Pa以下,以铜为蒸镀材料,调节蒸镀电流为100A~120A,蒸镀时间为1s~60s,得到蒸镀有铜的三维结构石墨烯/泡沫铜;四、将蒸镀有铜的三维结构石墨烯/泡沫铜与铜粉放入石墨模具中,在烧结压力为20MPa~50MPa、电流通断时间比为(8~64)ms:8ms及升温速率为50℃/min~100℃/min的条件下,将温度升温至800℃~1000℃,然后在烧结压力为20MPa~50MPa、电流通断时间比为(8~64)ms:8ms及烧结温度为800℃~1000℃的条件下进行放电等离子烧结1min~5min;所述的蒸镀有铜的三维结构石墨烯/泡沫铜与铜粉的质量比为1:(10~20);五、关闭放电等离子烧结设备,采用水冷降温,取出块状复合材料,即得到三维结构石墨烯增强铜基复合材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的