[发明专利]一种多能带太阳能吸收材料及其制备方法在审
申请号: | 201510875151.6 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105470321A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 陈平;张华;马学亮;李彬彬;王永存 | 申请(专利权)人: | 上海电机学院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 菅秀君 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种多能带太阳能吸收材料及其制备方法。按照In2-xNixS3的化学计量比将反应原料进行配料;将反应原料置于石英玻璃管中,对石英玻璃管进行抽真空,此后将石英玻璃管密封;将密封的石英玻璃管放入烧结炉中,升温至第一目标温度以进行烧结并保温第一预定时间,然后使得石英玻璃管随烧结炉冷却至室温;打开石英玻璃管,从石英玻璃管取出反应原料形成的样品进行研磨;将研磨后的样品重新真空封装在石英玻璃管中烧结以得到目标粉体样品。 | ||
搜索关键词: | 一种 多能 太阳能 吸收 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多能带太阳能吸收材料,其特征在于:所述多能带太阳能吸收半导体材料是化学通式为In2‑xNixS3的化合物,其中0<x<2。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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