[发明专利]一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器在审
| 申请号： | 201510875527.3 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106033154A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 姜城 | 申请（专利权）人： | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区开发*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器，包括行波电极，铌酸锂波导层，下包层，地电极和衬底，所述的衬底上表面覆盖所述的地电极；所述的地电极上表面覆盖所述的下包层；所述的下包层上表面覆盖所述的铌酸锂铌酸锂波导层；所述的铌酸锂波导层上表面覆盖所述的行波电极；所述的铌酸锂波导层包括铌酸锂晶体和钛扩散条波导，所述的铌酸锂晶体设置在钛扩散条波导的下表面中部。本发明的铌酸锂波导层的设置，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，稳定性好等优点，便于推广和使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 马赫 干涉 硅基铌酸锂 薄膜 调制器 | ||
【主权项】：
一种基于马赫‑曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器，其特征在于，该基于马赫‑曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器包括行波电极(1)，铌酸锂波导层(2)，下包层(3)，地电极(4)和衬底(5)，所述的衬底(5)上表面覆盖所述的地电极(4)；所述的地电极(4)上表面覆盖所述的下包层(3)；所述的下包层(3)上表面覆盖所述的铌酸锂铌酸锂波导层(2)；所述的铌酸锂波导层(2)上表面覆盖所述的行波电极(1)；所述的铌酸锂波导层(2)包括铌酸锂晶体(21)和钛扩散条波导(22)；所述的铌酸锂晶体(21)设置在钛扩散条波导(22)的下表面中部。
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