[发明专利]一种功率半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201510875658.1 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105514155B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 蒋华平;戴小平;郑昌伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的制作方法，包括：在半导体基底的上表面形成图形化的第一掩膜；在所述半导体基底的上表面内形成漂移区；在半导体基底的上表面形成第二掩膜；采用清除剂去除所述第一掩膜，形成图形化的第二掩膜；在半导体基底的上表面内形成基区；在所述第二掩膜的侧壁形成侧墙，将所述带有侧墙的第二掩膜作为第三掩膜；在具有所述第三掩膜的半导体基底的上表面内形成源区。该制作方法根据器件的结构对工艺流程进行重新布局，使得用于形成基区的第二掩膜和用于形成源区的第三掩膜不再需要通过光刻工艺进行图形化，简化了工艺流程，减少了光刻次数，提高了工艺可控性，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在半导体基底的上表面形成图形化的第一掩膜，所述第一掩膜覆盖所述半导体基底上预设的基区和预设的源区部分；在具有所述第一掩膜的半导体基底的上表面内形成漂移区；在具有所述第一掩膜的半导体基底的上表面形成第二掩膜，所述第二掩膜的高度低于所述第一掩膜；采用清除剂去除所述第一掩膜，形成图形化的第二掩膜；在具有所述第二掩膜的半导体基底的上表面内形成基区；在所述第二掩膜的侧壁形成侧墙，将所述带有侧墙的第二掩膜作为第三掩膜；在具有所述第三掩膜的半导体基底的上表面内形成源区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司，未经株洲南车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510875658.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
