[发明专利]一种快速软恢复二极管的制作方法在审
| 申请号： | 201510876085.4 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105405870A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/33 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种快速软恢复二极管的制作方法，包括以下步骤：S01：提供一衬底；S02：在所述衬底上区域注入B，形成p+缓冲区；S03：在所述p+缓冲区上外延n缓冲区，并进行热扩散；S04：在所述n缓冲区上外延n-漂移区；S05：在所述n-漂移区上注入B，并扩散形成p基区；S06：在所述p基区上注入B，并扩散形成阳极p+区。本发明在阴极侧隐埋的p+缓冲区，在反向恢复期间可以向n-漂移区注入少数载流子空穴，降低nn+结处的电场强度，改善反向恢复软度，并提高了抗反向恢复动态雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 恢复 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种快速软恢复二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：提供一衬底；S02：在所述衬底上区域注入B，形成p+缓冲区(2)；S03：在所述p+缓冲区(2)上外延n缓冲区(3)，并进行热扩散；S04：在所述n缓冲区(3)上外延n‑漂移区(4)；S05：在所述n‑漂移区(4)上注入B，并扩散形成p基区(5)；S06：在所述p基区(5)上注入B，并扩散形成阳极p+区(6)。
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