[发明专利]一种制备柔性AZO薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201510876503.X 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105483630A 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 彭寿;姚婷婷;钟汝梅;杨勇;张宽翔;蒋继文;曹欣;徐根保 申请(专利权)人: 凯盛光伏材料有限公司;中国建筑材料科学研究总院;蚌埠玻璃工业设计研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种制备柔性AZO薄膜的方法,包括以下步骤:a) 将磁控溅射装置的AZO靶材设为两个,并上下相对设置,磁控溅射装置内还设有在AZO靶材之间形成磁场的磁体,磁场方向与靶材垂直;b)将柔性衬底设置于两个靶材的外侧,使柔性衬底与靶材垂直;c)对柔性衬底进行预溅射;d)对柔性衬底进行溅射沉积底层AZO薄膜;e) 在底层AZO薄膜基础上再溅射沉积AZO薄膜;溅射过程中,二次电子飞出靶面后,被有效的封闭在两个靶之间作洛仑兹运动,形成柱状等离子体,最终沉积在柔性衬底上;由于电子能量很低,柔性衬底温升较低并且使得薄膜有效避免了离子损伤,同时,薄膜在室温中沉积,避免柔性衬底在传统磁控溅射过程中烧糊,变形等损坏,保证薄膜质量。
搜索关键词: 一种 制备 柔性 azo 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备柔性AZO薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:a) 将磁控溅射装置的AZO靶材设为两个,两个AZO靶材上下相对设置,磁控溅射装置内还设有在两个AZO靶材之间形成磁场的磁体,磁场方向与靶材垂直;b)将柔性衬底设置于两个AZO靶材的外侧,使柔性衬底与靶材垂直;c)对柔性衬底进行预溅射;d) 将磁控溅射装置的功率设为200~300W,以1.76~2.65W/cm2的功率密度对柔性衬底进行溅射,使柔性衬底上生长一层厚度为50~80nm的底层AZO薄膜;e)将磁控溅射装置的功率调整为400~600W,以3.52~5.30W/cm2的功率密度对柔性衬底进行溅射,使柔性衬底在底层AZO薄膜基础上再生长一层厚度为270~300nm的AZO薄膜。
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