[发明专利]一种声表面波滤波器芯片剥离工艺后图形优化方法

摘要

本发明公开了一种声表面波滤波器芯片剥离工艺后图形优化方法，其具体步骤为：晶圆表面均匀分布腐蚀液，腐蚀液对剥离后的晶圆图形进行腐蚀，保持腐蚀液恒定在23℃±1℃，设定夹具转速为1500转/分钟±50转/分钟，利用夹具旋转时产生的离心力，使得腐蚀液或去离子水对芯片表面起到冲刷作用，设定腐蚀时间范围为60s-90s，腐蚀液对芯片进行清洗，计满腐蚀时间时，关闭腐蚀液并打开去离子水对芯片进行清洗，腐蚀结束后进行清洗及甩干，完成声表面波滤波器芯片剥离工艺后的图形优化。本发明能够提高声表面波滤波器芯片的中心频率；对光刻显影过程中造成的线宽不均匀进行反向弥补；提升声表面波滤波器产品可靠性。

主权项

一种声表面波滤波器芯片剥离工艺后图形优化方法，其特征在于具体步骤为：第一步  晶圆表面均匀分布腐蚀液声表面波滤波器芯片剥离工艺完成并形成芯片图形后，将晶圆固定在旋转夹具上，使腐蚀液柱滴注于旋转的晶圆中心，利用旋转离心力使腐蚀液均匀分布在晶圆表面上；第二步  腐蚀液对剥离后的晶圆图形进行腐蚀腐蚀液采用当量浓度为2.38％的四甲基氢氧化铵，腐蚀液与铝质的芯片图形发生反应：2Al+2OH‑+2H2O→2AlO2‑+3H2↑；这种各项同性的湿法腐蚀方式将剥离后图形及线条边缘的毛刺、凸起和残留铝屑一并腐蚀去除；同时腐蚀液对铝质声表面波滤波器芯片上的叉指换能器在侧向上产生腐蚀作用，在纵向上使芯片铝膜厚度减薄，同时在横向上使叉指换能器变细，得到突破光刻机标称分辨率的精细叉指换能器图形；第三步  保持腐蚀液恒温腐蚀液与芯片金属图形发生反应，二者的反应速度与腐蚀液温度成正比，腐蚀液温度越高，腐蚀液与芯片金属图形的反应速度越快；腐蚀液温度恒定在23℃±1℃，采用程控水浴槽加热输液管的方式，保证腐蚀速度缓慢可控；第四步  设定旋转夹具转速设定夹具转速为1500转/分钟±50转/分钟，利用夹具旋转时产生的离心力，使得腐蚀液或去离子水对芯片表面起到冲刷作用，同时保证腐蚀过程缓慢可控；将剥离工艺超声震荡后产生的铝屑及腐蚀后产生的生成物从芯片表面冲刷出去，达到芯片图形优化的效果；第五步  根据腐蚀速度及图形优化效果设定腐蚀时间设定腐蚀时间范围为60s‑90s，在腐蚀液接触芯片的同时开始计时，腐蚀液对芯片进行清洗，计满腐蚀时间时，关闭腐蚀液并打开去离子水对芯片进行清洗；第六步  腐蚀结束后进行清洗及甩干腐蚀过程结束后，移开腐蚀液输液管，保持晶圆以1500转/分钟±50转/分钟转速旋转，用去离子水滴注于晶圆中心，利用旋转离心力将去离子水均匀分布于晶圆表面，将晶圆表面残留的腐蚀液清洗干净，设定清洗时间为30s；清洗结束后设定甩干转速为3000转/分钟±50转/分钟，利用旋转离心力将晶圆表面的去离子水甩干，甩干时间设定为30s；甩干后夹具停止旋转，取下晶圆，完成声表面波滤波器芯片剥离工艺后的图形优化。