[发明专利]一种利用坩埚上升提拉法制备大片状蓝宝石单晶体的方法在审
| 申请号： | 201510876763.7 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105401213A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李县辉;徐军;吴锋;唐慧丽;周森安;安俊超;李豪 | 申请（专利权）人： | 河南西格马晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/10;C30B29/20 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 刘兴华 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳高新*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用坩埚上升提拉法制备大片状蓝宝石单晶体的方法，本方法采用上端开口的扁平状结构坩埚，坩埚的两侧对称水平布置多个电阻式发热体，发热体包围坩埚形成两个温区，即结晶区和位于结晶区下方的熔融区，两个温区独立加热、独立控温、独立在面板上显示温度，通过控制结晶区的温度使晶体生长的界面温度符合蓝宝石晶体生长的最佳温度范围，本发明通过坩埚从下向上移动精确控制晶体生长界面温度，可以制备大尺寸片状蓝宝石单晶体，且蓝宝石单晶体的生长周期短、成品率高、晶体利用率高、生产成本低，制备的大片状蓝宝石单晶体能够满足一些大尺寸特殊光学窗口的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 坩埚 上升 法制 片状 蓝宝石 单晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种利用坩埚上升提拉法制备大片状蓝宝石单晶体的方法，其特征在于：本方法采用上端开口的扁平状结构坩埚，坩埚的两侧对称水平布置多个电阻式发热体，发热体包围坩埚形成两个温区，即结晶区和位于结晶区下方的熔融区，两个温区独立加热、独立控温、独立在面板上显示温度，通过控制结晶区的温度使晶体生长的界面温度符合蓝宝石晶体生长的最佳温度范围，在真空条件下垂直结晶生长大片状蓝宝石单晶体，生长过程中发热体不移动，通过坩埚从下向上移动，始终保持晶体生长的界面和发热体形成的温场相对位置不变。
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