[发明专利]利用光刻掩膜抬离法实现光学镀膜的方法

摘要

本发明为一种利用光刻掩膜抬离法实现光学镀膜的方法，以实现不同膜系结构镀制位置尺寸的精确控制。在同一块基板上实现两种光特性，在第一区处实现一款冷光镜，在第二区处实现750nm-800nm不透光，同时镀膜面一侧实现750nm-800nm波段的抗反射。本发明依据栅格结构制作相应的光刻掩模板，利用传统的旋涂方式涂胶，采用离子源辅助E-Beam蒸镀和磁控溅射镀膜方式分别实现介质膜和金属Cr膜的镀制，最后，利用丙酮溶液浸泡的方式除去光刻胶。本发明鉴于光刻技术在半导体行业里面的成熟运用，逐渐将光刻掩模抬离法应用到光学镀膜中来，其利用光刻掩模抬离法，实现了亚微米尺寸结构的精确控制。

主权项

一种利用光刻掩膜抬离法实现光学镀膜的方法，其特征是：该方法包括下述步骤：A、利用离子源辅助E‑Beam蒸发镀膜方式在基板上镀制冷光镜；B、依据所要实现的亚微米栅格状结构制作相应的光刻掩模板，利用旋涂技术，将光刻胶涂敷到冷光镜上表面，实现第一区处图案的光刻胶覆盖；C、利用磁控溅射镀膜技术在步骤B完成之后的样品表面镀制一层Cr膜，形成第一区1填充光刻胶，第二区镀制Cr膜的布局；D、利用离子源辅助E‑Beam蒸发镀膜技术在步骤C完成之后的样品表面镀制750nm‑800nm范围的减反膜；E、将样品放置于丙酮中浸泡，使光刻胶发生脱落，露出第一区中的冷光镜。