[发明专利]基于锥形衬底的相变存储器的制备方法在审
| 申请号： | 201510881248.8 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105390612A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 付英春;马刘红;杨富华;王晓峰;周亚玲;杨香;王晓东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于锥形衬底的相变存储器的制备方法。基于绝缘锥形衬底的相变单元，电极电场在相变材料中设计的局部区域(锥形衬底顶端上方)得以增强，诱导相变。这样就可以在不缩小相变材料物理体积的情况下，减小有效的相变体积，从而达到降低器件功耗的目的。该设计不涉及复杂的薄膜填充工艺，工艺精度要求低，简便易行。此外，由于备用的相变材料储备充分，该结构还具有较好的疲劳特性，器件的工作可靠性高，与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 锥形 衬底 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于锥形衬底的相变存储器的制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底(100)和锥形衬底(101)的上方上淀积第一电热绝缘材料层(201)；步骤2：在第一电热绝缘材料层(201)上方，采用“光刻‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备第一电极材料层(301)，其中第一电极材料层(301)应覆盖住锥形衬底(101)；步骤3：在第一电极材料层(301)和锥形衬底(101)的上方，采用“光刻‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备相变材料层(401)；步骤4：淀积第二电热绝缘材料层(202)，并磨平第二电热绝缘层(202)和相变材料层(401)的上表面，形成相变材料节点层(401A)；步骤5：在相变材料节点层(401A)的上方“光刻‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备第二电极材料层(302)覆盖住相变材料节点层(401A)，然后，淀积一层第三电热绝缘材料层(203)，钝化器件；步骤6：在第三电热绝缘材料层(203)上，采用“光刻‑刻蚀‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备下方接触至第一、第二电极材料层(301)和(302)上表面的第三电极材料层(303)，完成器件制备。
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