[发明专利]隧道磁阻器件和隧道磁阻读磁头

摘要

本发明公开了一种隧道磁阻(TMR)器件和隧道磁阻读磁头，例如磁记录盘驱动器读磁头，该TMR器件具有在MgO势垒层和包含硼的自由层和/或参考铁磁层之间的含氮层。在一个实施例中，自由铁磁层包括含硼层和在MgO势垒层与含硼层之间的三层纳米层结构。三层纳米层结构包括：与MgO层接触的薄的Co、Fe或CoFe第一纳米层，在第一纳米层上的薄的FeN或CoFeN第二纳米层，以及在FeN或CoFeN纳米层和含硼层之间的FeN或CoFeN纳米层上的薄的Co、Fe或CoFe第三纳米层。如果参考铁磁层还包括含硼层，则类似的三层纳米层结构可以位于含硼层和MgO势垒层之间。

主权项

1.一种隧道磁阻器件，包括：衬底；在所述衬底上的第一铁磁层；隧道势垒层，由在所述第一铁磁层上的MgO组成；在所述隧道势垒层上的第二铁磁层；其中所述第一和第二铁磁层中的一个是在存在外部磁场的情况下具有自由旋转的面内磁化方向的自由铁磁的多层，所述自由铁磁的多层包括含硼层以及在所述势垒层和所述含硼层之间的含氮层；以及其中所述第一和第二铁磁层中的另一个是在存在外部磁场的情况下具有被防止旋转的面内磁化方向的参考铁磁层。