[发明专利]高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法

摘要

本发明提供一种高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法，所述高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法通过在形成第一深孔、第二深孔及走道之后，在第二深孔及走道的底部及侧壁形成膜层质量非常好的第一绝缘层，用于包覆刻蚀暴露出的发光层多量子阱，规避了在后续n型GaN层刻蚀时引起的残留图形化蓝宝石衬底印记和金属反溅的异常，有效地提升了倒装LED芯片在使用过程中的可靠性。

主权项

1.一种高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)提供生长衬底，在所述生长衬底表面依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2)在步骤1)得到的结构内形成贯穿所述p型GaN层及所述发光层多量子阱的第一深孔、第二深孔及走道，所述第一深孔、所述第二深孔及所述走道的底部均位于所述n型GaN层内；3)在所述第二深孔及所述走道内形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第二深孔及所述走道的底部及侧壁，所述第一绝缘层的厚度为3000埃～30000埃；4)在所述p型GaN层表面由下至上依次形成欧姆接触及电流扩展层及反射层；5)在所述反射层的表面及侧壁、所述第一深孔与所述第二深孔之间裸露的所述p型GaN层表面及所述第一绝缘层表面形成反射层保护层；6)在步骤5)得到的结构表面形成第二绝缘层，并在对应于所述第一深孔所在区域的所述第二绝缘层内形成开口，所述开口暴露出位于所述第一深孔底部的所述n型GaN层；7)在所述开口内填充N孔金属，所述N孔金属的上表面与所述第二绝缘层的上表面相平齐；8)提供键合衬底，在所述键合衬底的正面及所述第二绝缘层的表面分别形成第一金属键合层及第二金属键合层，所述键合衬底通过所述第一金属键合层及所述第二金属键合层键合于所述第二绝缘层的表面；之后剥离所述生长衬底；9)依次去除对应于所述走道及所述第二深孔所在区域的所述n型GaN层及所述第一绝缘层，以裸露出所述反射层保护层；10)在对应于所述第二深孔所在区域的所述反射层保护层表面形成P电极。