[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成欧姆接触及电流扩展层；4）在欧姆接触及电流扩展层表面形成反射层；5）在反射层表面、内侧及第一深槽底部形成反射层保护层；6）采用原子层沉积法在步骤5）得到的结构表面形成氧化铝层；7）在氧化铝层内形成第一开口及第二开口；8）在第二开口内形成N电极，在第一开口内及氧化铝层表面形成P电极。采用原子层沉积制备的氧化铝层具有更好的绝缘性能和金属阻挡性能，从而保证倒装芯片在大电流使用下的可靠性能。

主权项

一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)提供生长衬底，在所述生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2)形成贯穿所述p型GaN层及所述发光层多量子阱的第一深槽，所述第一深槽的底部位于所述n型GaN层内；3)在所述p型GaN层表面形成欧姆接触及电流扩展层，所述欧姆接触及电流扩展层的面积小于所述p型GaN层的面积；4)在所述欧姆接触及电流扩展层表面形成反射层；5)在所述反射层表面、内侧及所述第一深槽底部形成反射层保护层，位于所述第一深槽底部的所述反射层保护层与所述第一深槽的侧壁相隔一定的间距；6)采用原子层沉积法在步骤5)得到的结构表面形成氧化铝层；7)在所述氧化铝层内形成第一开口及第二开口，所述第一开口暴露出位于所述反射层表面的所述反射层保护层，所述第二开口暴露出位于所述第一深槽底部的所述反射层保护层；8)在所述第二开口内形成N电极，在所述第一开口内及所述氧化铝层表面形成P电极。