[发明专利]抗干扰抗腐蚀半导体集成电路的集成方法在审
| 申请号： | 201510881974.X | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105304618A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨成刚;赵晓辉;刘学林;聂平健;杨晓琴;路兰艳 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/02;H01L23/06 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 抗干扰抗腐蚀半导体集成电路的集成方法，是将陶瓷与金属复合，用作管基和管帽材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽和抗腐蚀要求，具体集成方法是：采用低温共烧陶瓷工艺及厚膜印刷与烧结工艺制作管基底座，形成半导体集成电路芯片键合区、表面金属层、对外引脚等结构；在预先烧结成型的陶瓷管帽的内表面，采用涂覆金属浆料烧结方式或化学电镀方式或真空镀膜的方式形成所需管帽金属层；再进行半导体集成电路芯片的装贴、引线键合和封帽，满足电磁全频段的屏蔽和抗腐蚀的要求。用本发明方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 抗干扰 腐蚀 半导体 集成电路 集成 方法 | ||
【主权项】：
抗干扰抗腐蚀半导体集成电路的集成方法，其特征是将陶瓷与金属复合，用作管基和管帽材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽和抗腐蚀要求，具体集成方法是：采用低温共烧陶瓷工艺及厚膜印刷与烧结工艺制作管基底座，形成半导体集成电路芯片键合区、表面金属层、对外引脚等结构；在预先烧结成型的陶瓷管帽的内表面，采用涂覆金属浆料烧结方式或化学电镀方式或真空镀膜的方式形成所需管帽金属层；再进行半导体集成电路芯片的装贴、引线键合和封帽；使封装内外电磁环境实现良好的隔离，以满足从低频到高频的电磁全频段的屏蔽和抗腐蚀的要求。
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