[发明专利]一种带集成二极管的太阳电池的制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池领域，主要公开了一种带集成二极管的太阳电池的制备方法。该带集成二极管的太阳电池的制备方法主要包括以下步骤P型Ge衬底的外延生长，第一次光刻腐蚀，第二次光刻腐蚀，制备边缘保护层以及蒸镀电极层。本发明的有益效果是通过外延生长制备子电池的工艺便于操作且生长子电池的质量良好；通过第一次光刻腐蚀和第二次光刻腐蚀可精确形成旁路二极管和隔离槽两个区域；通过制备边缘保护层避免所述旁路二极管中PN结的漏电，优化了所述PN结的质量；最后通过热蒸镀的方法制备更为均匀的电极层，降低了内电阻，减少了能量损失。总之，该制备方法操作简单，且通过该方法可制备出正向压降低、开启电压小的带集成二极管的太阳电池。

主权项

一种带集成二极管的太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)P型Ge衬底(201)的外延生长，其步骤为：在所述P型Ge衬底(201)上依次外延生长Ge子电池、GaAs子电池(204)和GaInP子电池(205)；(b)第一次光刻腐蚀，其步骤为：先通过光刻版确定隔离槽和旁路二极管的待腐蚀图案并进行光刻，再通过湿法腐蚀除去所述待腐蚀图案内的GaInP子电池(205)和GaAs子电池(204)；(c)第二次光刻腐蚀，其步骤为：先通过光刻版确定所述隔离槽的待腐蚀图形，再采用湿法腐蚀除去所述待腐蚀形状内的Ge子电池；(d)制备边缘保护层(207)：在所述旁路二极管的所述Ge子电池边缘制作边缘保护层(207)；(e)蒸镀电极层，其步骤为：在电池主体中的GaInP子电池(205)以及所述旁路二极管中的Ge子电池上面蒸镀上电极层(206)，在所述P型Ge衬底(201)的下面蒸镀下电极层(208)。