[发明专利]一种硅基量子点显示器及其制作方法有效
申请号: | 201510883351.6 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN105449125B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 张晓兵;陈静;雷威;黄倩倩;潘江涌 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅基量子点显示器在硅衬底上采用半导体工艺制作对应行列像素单元的电压或电流驱动电路,在每个像素上制作对应于像素的阴极膜层,并进行化学机械平坦化抛光。在抛光的阴极膜层上,制作TiO2、TiN等材料的电子传输层、量子点发光层。并在量子点发光层上制作CBP作为空穴传输层,MoO3作为空穴注入层,ITO导电层作为器件阳极,促进空穴和电子传输到量子点发光层,复合后发光。用透明基板进行密封封接后形成量子点发光显示器件。本发明的优点在于:在硅衬底上制作像素驱动电路,可以获得高的像素分辨率,以及大的电压或电流驱动能力,从而获得高亮度的量子点发光显示,实现高分辨率、高亮度可穿戴显示用的微型显示器。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 显示器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅基量子点显示器:其特征在于:包括硅衬底,硅衬底上设置有驱动电路,驱动电路上方设置有抛光的阴极膜层,阴极膜层上方从下往上依次设置有电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和空穴注入层,空穴注入层上设置有器件阳极,所述驱动电路一端设置在硅衬底与阴极膜层之间,另一端设置在阳极膜层上;所述阴极膜层所采用的材料为铝、金、银、钙中一种或多种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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