[发明专利]碳化硅衬底、碳化硅半导体器件和制造碳化硅衬底的方法在审
| 申请号： | 201510883589.9 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105762175A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅衬底、碳化硅半导体器件和制造碳化硅衬底的方法。碳化硅衬底(10)具有碳化硅外延层(12)。碳化硅外延层(12)具有第一主表面(12b)和与第一主表面(12b)相反的第二主表面(12d)。在垂直于所述第二主表面(12d)的方向上，所述碳化硅外延层(12)具有不小于50μm的厚度(T1)。Z1/2中心(1)在所述碳化硅外延层(12)中，密度不大于1×1012cm-3。所述碳化硅外延层包括源自穿透位错(2)或基面位错(3)而形成的、在所述第二主表面(12d)处具有开口的凹坑，所述凹坑(4)具有不大于5nm的最大深度(D1)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面的碳化硅外延层，在垂直于所述第二主表面的方向上，所述碳化硅外延层具有不小于50μm的厚度，Z1/2中心以不大于1×1012cm‑3的密度位于所述碳化硅外延层中，所述碳化硅外延层包括源自穿透位错或基面位错而形成的、在所述第二主表面处具有开口的凹坑，所述凹坑具有不大于5nm的最大深度。
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