[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510884600.3 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105679730A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 矢岛明;村中诚志 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的多个布线层；形成于所述多个布线层的最上层的焊盘电极；在所述焊盘电极上具有第1开口的绝缘膜；再布线，其与所述焊盘电极电连接，并在所述绝缘膜上延伸；保护膜，其覆盖所述再布线的上表面，并具有使所述再布线的所述上表面的一部分露出的第2开口；外部焊盘电极，其在所述第2开口处与所述再布线电连接，并在所述保护膜上延伸；以及与所述外部焊盘电极连接的导线，俯视下，所述外部焊盘电极的一部分位于所述再布线的外侧区域。
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