[发明专利]具有矩形空腔阵列的聚合物框架的制造方法有效
| 申请号： | 201510885569.5 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105679682B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 | 申请（专利权）人： | 珠海越亚封装基板技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李翔;李弘 |
| 地址： | 519173 广东省珠海市富山工业*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种由有机基质框架包围穿过该有机基质框架的插座限定的芯片插座阵列及其制造方法，所述芯片插座的特征是形状为矩形，具有光滑侧壁，拐角的曲率半径小于100微米，由此有利于每个插座与预定的芯片尺寸紧密匹配，能够实现紧凑芯片封装和微型化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 矩形 空腔 阵列 聚合物 框架 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在介电材料板中制造空腔阵列的方法，包括在加热和加压下在牺牲金属桩的阵列上挤压介电材料板，以及随后蚀刻掉所述牺牲金属桩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
