[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201510887607.0 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN105845713B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 坂田敏明;北村睦美 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金玉兰;李盛泉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供具有超结型构造的半导体装置。本发明的第1方面提供了一种半导体装置,该半导体装置具有由第1导电型柱和第2导电型柱构成的超结型构造,其中包括PN比从超结型构造的第1面侧向第2面侧增加的超结型构造的第1区域,以及与第1区域相接并且与半导体装置的沟道区域相邻的超结型构造的第2区域,第2区域中的PN比小于第1区域的第2面侧端部中的PN比,并且,第2区域的厚度薄于第1区域的厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具有由第1导电型柱和第2导电型柱构成的超结型构造,包括:所述超结型构造的第1区域,所述第1区域的PN比从所述超结型构造的第1面侧朝向第2面侧增加;所述超结型构造的第2区域,所述第2区域与所述第1区域相接,并且,与所述半导体装置的沟道区域相邻,所述第2区域中的PN比小于所述第1区域的所述第2面侧的端部中的PN比,并且所述第2区域的厚度薄于所述第1区域的厚度。
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