[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底的表面具有鳍部；在衬底表面形成牺牲层，牺牲层覆盖鳍部的部分侧壁，且牺牲层的表面低于鳍部的顶部表面；之后在鳍部的侧壁表面形成第一阻挡层；之后，去除牺牲层；之后，在第一区域的鳍部暴露出的侧壁表面、第一阻挡层表面以及鳍部的顶部表面形成掺杂层，掺杂层内具有第一类型离子；之后对第二区域的鳍部暴露出的侧壁进行掺杂工艺，掺杂工艺掺杂的离子为第二类型离子；之后进行退火工艺，驱动第一类型离子掺杂入第一区域的鳍部，驱动第二类型离子掺杂入第二区域的鳍部；之后去除第一阻挡层和掺杂层。所形成的半导体结构的性能改善。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底的第一区域和第二区域表面分别具有鳍部；在所述衬底表面形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述牺牲层的表面低于所述鳍部的顶部表面；在形成所述牺牲层之后，在所述鳍部的侧壁表面形成第一阻挡层；在形成所述第一阻挡层之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，在第一区域的鳍部暴露出的侧壁表面、第一阻挡层表面以及鳍部的顶部表面形成掺杂层，所述掺杂层内具有第一类型离子；在去除所述牺牲层之后，对第二区域的鳍部暴露出的侧壁进行掺杂工艺，所述掺杂工艺掺杂的离子为第二类型离子；在形成掺杂层并对第二区域鳍部进行掺杂工艺之后，进行退火工艺，驱动第一类型离子掺杂入第一区域的鳍部，驱动第二类型离子掺杂入第二区域的鳍部；在所述退火工艺之后，去除所述第一阻挡层和掺杂层。