[发明专利]改善闪存器件性能的方法

摘要

一种改善闪存器件性能的方法，包括：提供基底，基底表面形成有栅极结构；在所述栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成多晶硅层；在多晶硅层表面形成氧化层；采用第一无掩膜刻蚀工艺刻蚀氧化层，直至暴露出位于栅极结构顶部表面的多晶硅层，且暴露出的多晶硅层表面形成有聚合物杂质；采用含有O2以及Cl2的刻蚀气体，刻蚀去除聚合物杂质；在刻蚀去除聚合物杂质之后，采用第二无掩膜刻蚀工艺刻蚀多晶硅层，直至刻蚀去除位于栅极结构顶部表面的多晶硅层，形成多晶硅侧墙。本发明刻蚀去除聚合物杂质的工艺温和，避免对氧化层造成刻蚀形成点缺陷，改善刻蚀后形成的多晶硅侧墙的形貌。

主权项

1.一种改善闪存器件性能的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构；在所述栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成氧化层；采用第一无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述氧化层，直至暴露出位于栅极结构顶部表面的多晶硅层，且暴露出的多晶硅层表面形成有聚合物杂质，所述聚合物杂质中含有硅离子和碳离子；采用含有O2以及Cl2的刻蚀气体，刻蚀去除所述聚合物杂质，其中，O2适于去除聚合物杂质中的碳离子，Cl2适于去除聚合物杂质中的硅离子；在刻蚀去除所述聚合物杂质之后，采用第二无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述多晶硅层，直至刻蚀去除位于栅极结构顶部表面的多晶硅层，形成位于栅极结构侧壁表面的多晶硅侧墙。