[发明专利]具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用

摘要

本发明公开了具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用。具体地，本发明的人造突触器件包含：依次叠加在衬底上的n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元，每一个所述“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元包含栅介质底层和沉积在其上的浮栅电极层，所述浮栅电极层为金属颗粒层，在最上层的浮栅电极层上继续覆盖一层栅介质顶层，采用离子导体电解质作为所述栅介质；还包含在栅介质层上的一半导体沟道层作为突触后端，以及m个多栅电极，所述多栅电极作为突触前端。本发明采用离子导体电解质作为栅介质，降低了器件的工作能耗，并采用多栅结构，拓宽了人造突触器件的突触响应功能，同时，器件的制作工艺简单，制作成本低廉，具有重要应用前景。

主权项

1.一种具有多端结构的人造突触器件，其特征在于，包含：一衬底；位于所述衬底上的n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元，所述基本单元依次叠加，每一个所述“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元包含栅介质底层和沉积在其上的浮栅电极层，其中，所述栅介质底层为无机离子导体电解质，所述浮栅电极层为金属颗粒层，其中n为≥1的整数；位于所述n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元中最上层的浮栅电极层上方的栅介质顶层，所述的栅介质顶层为无机离子导体电解质；位于所述栅介质顶层上的半导体沟道层，所述的半导体沟道层作为突触后端，位于所述半导体沟道层上的源电极和漏电极；以及位于所述栅介质顶层上的m个多栅电极，其中m为≥2的整数，所述多栅电极作为突触前端。