[发明专利]超晶格组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光阴极及制备方法在审
| 申请号： | 201510891044.2 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105449066A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;夏斯浩;郝广辉;常本康;孔熠柯 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超晶格梯度组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，该光电阴极由自下而上由衬底层、超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1-xN缓冲层、p型AlyGa1-yN发射层以及Cs或者Cs/O激活层组成，所述超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1-xN缓冲层是由8-15个组分渐变层循环堆叠和一个过渡层组成，过渡层与发射层接触，最下面的组分渐变层与衬底层接触。本发明提高了晶体的生长质量，较大程度减少缓冲层内部的晶格缺陷，提高发射层光子的吸收率，最终提高光电阴极的光电发射量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶格 组分 渐变 缓冲 透射 algan 紫外光 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超晶格组分渐变结构缓冲层的透射式AlGaN紫外光阴极，其特征在于：该阴极自下而上由衬底层(1)、超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1‑xN缓冲层(2)、p型AlyGa1‑yN发射层(3)以及Cs或者Cs/O激活层(4)组成，所述超晶格梯度组分渐变p型AlxGa1‑xN缓冲层(2)是由8‑15个组分渐变层(11)循环堆叠和一个过渡层(12)组成，过渡层(12)与发射层(3)接触，最下面的组分渐变层(11)与衬底层(1)接触。
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