[发明专利]一种MOS触发负阻二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510891762.X | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105529370A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;刘超;唐血锋;娄伦飞;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS触发负阻二极管(MOS-triggered Dynistor，简称MTD)及其制造方法。本发明提供了一种应用于脉冲功率领域的具有常关型MOS触发负阻二极管。相较于常规MCT，本发明MTD具有穿过N型源区连接阴极金属的P型基区凸起结构。阴极金属连接N型源区和P型基区凸起结构形成阴极短路，使器件具备常关特性，这样可简化驱动电路，增加了系统可靠性。本发明MTD工作模式为PNPN负阻二极管模式，具有很高的峰值电流和电流上升率，非常适合使用于脉冲功率领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 触发 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS触发负阻二极管，包括交替并列设置的PNPN负阻二极管部分和MOS部分，其特征在于，所述PNPN负阻二极管部分包括N型漂移区(4)、位于N型漂移区(4)上表面的P型基区(3)、位于N型漂移区(4)下表面的P型阳极区(5)和位于P型基区(3)上表面的N型源区(1)，所述P型阳极区(5)下表面连接有阳极(6)，所述N型源区(1)上表面连接有阴极金属(7)；所述MOS部分包括N型漂移区(4)、位于N型漂移区(4)下表面的P型阳极区(5)、栅极结构和P型源区(10)，所述P型阳极区(5)下表面连接有阳极(6)；所述P型源区(10)位于N型源区(1)的上层并与栅极结构接触；其特征在于，所述P型基区(3)通过位于其上表面的凸起结构贯穿N型源区(1)后与阴极金属(7)短接。
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