[发明专利]一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法

摘要

本申请公开了一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法，该开关器件包括：衬底a；N型重掺杂氮化镓层b；电流窗口层c；非故意掺杂高迁移率氮化镓层d；氮化铝插入层e；非有意掺杂铝镓氮势垒层f；欧姆接触源极Source；欧姆接触漏极Drain；肖特基接触栅极Gate。本申请的开关器件具有两个高阻区HR-GaN做为电流阻挡区，电流窗口区g作为垂直的电流通道，可以实现垂直型氮化镓基功率器件，漏极和其它电极（栅极、漏极）不在一个平面上，这样可以避免在材料表面形成高场区，导致表面漏电、表面击穿、虚栅效应引起的电流崩塌等问题；同时，可以减小器件的尺寸，提高晶圆的利用率。

主权项

一种垂直型氮化镓功率开关器件，其特征在于，所述开关器件包括：衬底（a）；N型重掺杂氮化镓层（b），所述N型重掺杂氮化镓层（b）制作在衬底（a）上方；电流窗口层（c），该层包括两个高阻氮化镓区（HR‑GaN）和电流窗口区（g），所述电流窗口层（c）制作在所述N型重掺杂氮化镓层（b）上方，所述电流窗口区（g）位于两个所述高阻氮化镓区（HR‑GaN）之间；非故意掺杂高迁移率氮化镓层（d），所述非故意掺杂高迁移率氮化镓层（d）制作在所述电流窗口层（c）上方；氮化铝插入层（e），所述氮化铝插入层（e）制作在所述非故意掺杂高迁移率氮化镓层（d）上方；非有意掺杂铝镓氮势垒层（f），所述非有意掺杂铝镓氮势垒层（f）制作在所述氮化铝插入层（e）上方；欧姆接触源极（Source），所述欧姆接触源极（Source）制作在所述非有意掺杂铝镓氮势垒层（f）和氮化铝插入层（e）上方；欧姆接触漏极（Drain），所述欧姆接触漏极（Drain）制作在所述N型重掺杂氮化镓层（b）上方；肖特基接触栅极（Gate），所述肖特基接触栅极（Gate）制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层（f）上方。