[发明专利]金属薄膜厚度测量方法在审
| 申请号： | 201510894224.6 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105448765A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 梁海林;孙洪福;丁同国;张显良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属薄膜厚度的测量方法，所述方法包括：提供多个在线生产的产品晶圆；在不同产品晶圆上形成不同厚度的金属薄膜；测量各个产品晶圆形成金属薄膜后的曲率半径值；计算各个产品晶圆的翘曲高度值；将多个产品晶圆上的金属薄膜厚度及其各自对应的翘曲高度值进行数据拟合，获得金属薄膜厚度与翘曲高度值的关系式；提供待测量产品晶圆，在待测量产品晶圆表面形成待测量金属薄膜；测量产品晶圆的曲率半径，获得待测量曲率半径值；通过待测量曲率半径值计算得到待测量翘曲高度值；将待测量翘曲高度代入金属薄膜厚度与翘曲高度值的关系式，获得待测量金属薄膜厚度值。所述方法可以避免对产品晶圆造成损伤，实现金属薄膜厚度的在线测量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 厚度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种金属薄膜厚度的测量方法，其特征在于，包括：提供多个在线生产的产品晶圆；在不同产品晶圆上分别形成不同厚度的金属薄膜；分别测量各个产品晶圆形成金属薄膜后的曲率半径，获得曲率半径值；通过所述曲率半径值，计算各个产品晶圆的翘曲高度，分别得到各个产品晶圆形成金属薄膜后的翘曲高度值，所述翘曲高度是指晶圆上翘曲处与晶圆边缘所在水平面之间的距离；将多个产品晶圆上的金属薄膜厚度及其各自对应的翘曲高度值进行数据拟合，获得金属薄膜厚度与翘曲高度值的关系式；提供待测量产品晶圆，在所述待测量产品晶圆表面形成待测量金属薄膜；测量所述形成待测量金属薄膜后的产品晶圆的曲率半径，获得待测量曲率半径值；通过所述待测量曲率半径值计算得到待测量翘曲高度值；将所述待测量翘曲高度代入金属薄膜厚度与翘曲高度值的关系式内，获得待测量金属薄膜厚度值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510894224.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：精密滚珠丝杠副摩擦机理研究实验台
- 下一篇：印染坯布染色过程色度检测电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
