[发明专利]高K金属栅晶体管的形成方法

摘要

一种高K金属栅晶体管的形成方法，包括提供包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底表面形成介质层，介质层内具有第一开口和第二开口，第一开口暴露出第一区域的部分衬底表面，第二开口暴露出第二区域的部分衬底表面；在介质层表面、第一开口内和第二开口内形成栅介质层；之后，在第一开口内形成填充满第一开口的牺牲层；之后在第二开口内形成第二功函数层以及位于第二功函数层表面的第二栅极层，第二栅极层填充满第二开口；之后去除第一开口内的牺牲层；之后在第一开口内形成第一功函数层、以及位于第一功函数层表面的第一栅极层，第一栅极层填充满第一开口。所形成的高K金属栅晶体管的性能改善。

主权项

一种高K金属栅晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出第一区域的部分衬底表面，所述第二开口暴露出第二区域的部分衬底表面；在所述介质层表面、第一开口的侧壁和底部的衬底表面、以及第二开口的侧壁和底部的衬底表面形成栅介质层；在形成所述栅介质层之后，在第一开口内形成填充满所述第一开口的牺牲层；在形成所述牺牲层之后，在第二开口内形成第二功函数层以及位于第二功函数层表面的第二栅极层，所述第二栅极层填充满所述第二开口；在形成所述第二栅极层之后，去除第一开口内的牺牲层；在去除第一开口内的牺牲层之后，在所述第一开口内形成第一功函数层、以及位于第一功函数层表面的第一栅极层，所述第一栅极层填充满所述第一开口。