[发明专利]一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201510894699.5 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105514207B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘冠洲;毕京锋;熊伟平;李明阳;杨美佳;宋明辉;李森林;陈文浚 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/0443;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，包括以下步骤在衬底上形成多结太阳能电池外延结构；形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽；对旁路二极管制作区域的外延层进行特定能量的离子注入，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变；对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射，使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理；制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜；按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 集成 旁路 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，其步骤包括：1）在衬底上形成多结太阳能电池外延层结构；2）形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽；3）对旁路二极管制作区域的外延层进行离子注入，控制离子注入的深度，使得旁路二极管制作区域的多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变；4）对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射，使得旁路二极管制作区域的多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理；5）制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜；6）按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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