[发明专利]一种气密性并行传输光器件有效
| 申请号： | 201510894810.0 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105403963B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 曹芳;付永安 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 程殿军,张瑾 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气密性并行传输光器件，其包括硅基板、IC芯片、VCSEL芯片、PD芯片及透镜盖板，硅基板具有二氧化硅层并打上细通孔，在细通孔中填充导体物质，导体物质连通硅基板表面层至底面层，导体物质凸出硅基板底面，在硅基板上还镀有焊料层，IC芯片倒装在硅基板上，VCSEL芯片及PD芯片均采用倒装方式贴装在IC芯片上，透镜盖板具有阵列透镜，通过高精度图像对准系统扣合在硅基板上经焊料层共晶熔融结合一体，此时透镜阵列与VCSEL芯片及PD芯片对准而实现光路耦合，藉此前述构造解决了气密性封装的技术问题，达成了省材、省能耗、利于制成及提升产品品质的良好效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气密性 并行 传输 器件 | ||
【主权项】：
一种气密性并行传输光器件，包括硅基板、IC芯片、VCSEL芯片、PD芯片及透镜盖板，其特征在于：硅基板具有二氧化硅层并打上细通孔，在细通孔中填充导体物质，导体物质连通硅基板表面层至底面层，导体物质凸出硅基板底面，在硅基板上还镀有焊料层，IC芯片倒装在硅基板上，VCSEL芯片及PD芯片均采用倒装方式贴装在IC芯片上，透镜盖板具有阵列透镜，通过高精度图像对准系统扣合在硅基板上经焊料层共晶熔融结合一体，此时透镜阵列与VCSEL芯片及PD芯片对准而实现光路耦合。
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