[发明专利]电阻式内存及其记忆胞有效
| 申请号： | 201510895267.6 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106856101B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈建隆 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式内存及其记忆胞。电阻式记忆胞包括第一位线开关、第一电阻、第一字线开关、第二位线开关、第二电阻以及第二字线开关。第一位线开关及第二位线开关接收位线信号，并受控于位线选择信号以导通或断开。第一电阻耦接在第一位线开关与第一字线开关间。第一字线开关受控于字线信号以导通或断开。第二电阻耦接在第二位线开关与第二字线开关间。第二字线开关受控于字线信号以导通或断开。其中，当电阻式记忆胞被程序化时，第一、第二电阻的电阻值同时被程序化为高阻抗值或同时被程序化为低阻抗值。本发明可调整其读取边界并减低记忆胞因设定‑重置循环所产生的转态现象而造成的数据错误的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 内存 及其 记忆 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式记忆胞，其特征在于，包括：第一位线开关，其第一端接收位线信号，受控于位线选择信号以导通或断开；第一电阻，其第一端耦接至所述第一位线开关的第二端；第一字线开关，串接在所述第一电阻的第二端与源极线间，受控于字线信号以导通或断开；第二位线开关，其第一端接收所述位线信号，受控于所述位线选择信号以导通或断开；第二电阻，其第一端耦接至所述第二位线开关的第二端；及第二字线开关，串接在所述第二电阻的第二端与所述源极线间，受控于所述字线信号以导通或断开，其中，当所述电阻式记忆胞被程序化时，所述第一电阻、第二电阻的电阻值同时被程序化为高阻抗值或同时被程序化为低阻抗值。
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