[发明专利]GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法在审
| 申请号： | 201510896812.3 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105552108A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黎明;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法。其包括在Si衬底上依次形成GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层表面沉积SiO2介质，并在SiO2介质上覆盖掩膜层，采用光刻工艺在掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域，其中，欧姆接触区域位于非欧姆接触区域两侧；对露出在欧姆接触区域内的SiO2介质进行刻蚀，以形成嵌入GaN沟道层内部的沟槽；在沟槽中生长n+GaN掺杂层；去除掩膜层和SiO2介质；在欧姆接触区域和非欧姆接触区域上沉积与GaN材料的功函数对应的欧姆接触金属层。本发明能够避免高温退火对GaN晶格带来的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 合金 欧姆 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于，包括：在Si衬底上由下而上依次形成GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，其中，所述GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成有二维电子气；在所述AlGaN势垒层表面沉积SiO2介质，并在所述SiO2介质上覆盖掩膜层，采用光刻工艺在所述掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域，其中，所述欧姆接触区域位于所述非欧姆接触区域两侧；对露出在所述欧姆接触区域内的SiO2介质进行刻蚀，以形成嵌入所述GaN沟道层内部的沟槽；在所述沟槽中生长n+GaN掺杂层；去除所述掩膜层和所述SiO2介质；在所述欧姆接触区域和所述非欧姆接触区域上沉积与GaN材料的功函数对应的欧姆接触金属层。
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