[发明专利]一种三维硅-聚吡咯-石墨负极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510897574.8 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN106505189A 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 仲林;谢秋生;张鹏昌;丁晓阳;吴志红 申请(专利权)人: 上海杉杉科技有限公司
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/60;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/36;H01M10/0525
代理公司: 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)31288 代理人: 陈酩
地址: 200120 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种锂电池用三维硅-聚吡咯-石墨负极材料及其制备方法。本发明采用石墨材料作为基材,采用化学黏接的方法将单质硅与石墨结合在一起,制成一种锂电池用三维硅-聚吡咯-石墨负极材料。本发明具有容量高、效率高、膨胀小、循环性能好的特性,并且原料成本低、步骤简单、可重复性好,能够真正实现含硅负极在锂离子电池领域的规模化生产。
搜索关键词: 一种 三维 吡咯 石墨 负极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种三维硅‑聚吡咯‑石墨负极材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤(1)将单质硅、吡咯溶于去离子水中,置于超声搅拌器中搅拌均匀,将石墨细粉加到所述混合液中,经超声分散和磁力搅拌形成混合浆料;步骤(2)往步骤1的混合液中滴加适量的FeCl3·6H2O,滴加过程中不断搅拌,使吡咯充分反应成聚吡咯,将反应产物先用无水乙醇和去离子水洗涤过滤,然后在‑40℃到‑50℃下冷冻干燥即得到三维硅‑石墨负极材料的前驱体。在真空或惰性气氛中进行热处理,得到一种三维硅‑聚吡咯‑石墨负极材料。
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