[发明专利]与数据线导通的薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种与数据线导通的薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，方法包括步骤：提供基板，在基板上沉积缓冲层；在缓冲层上制备多晶硅层；多晶硅层进行沟道掺杂；形成多晶硅层段；在缓冲层、多晶硅层段上沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积图案化第一金属层，形成对应多晶硅层段上方的栅极；得到两P型或N型重掺杂区域及设置在两P型或N型重掺杂区域之间的一P型或N型轻掺杂区域，对应形成源区、漏区及沟道区；在栅极绝缘层及栅极上形成层间绝缘层，并在栅极绝缘层与层间绝缘层上多晶硅层段的P型或N型重掺杂区域上方形成第一接触孔；形成源极及漏极，源极及漏极分别经由第一接触孔与多晶硅层段的源区及漏区相接触。

主权项

一种与数据线导通的薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管为低温多晶硅顶栅薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管与IPS液晶显示模式结合使用，所述方法包括如下步骤：步骤(1)、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；步骤(2)、在所述缓冲层上制备多晶硅层；步骤(3)、对所述多晶硅层进行沟道掺杂，形成沟道掺杂的多晶硅层；步骤(4)、对所述多晶硅层进行图案化处理，形成多晶硅层段；步骤(5)、在所述缓冲层、多晶硅层段上沉积栅极绝缘层；步骤(6)、在所述栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层，形成对应多晶硅层段上方的栅极；步骤(7)、对所述多晶硅层段进行掺杂，以得到两P型或N型重掺杂区域及设置在两P型或N型重掺杂区域之间的一P型或N型轻掺杂区域，对应形成源区、漏区及沟道区；步骤(8)、在所述栅极绝缘层及所述栅极上形成层间绝缘层，并在所述栅极绝缘层与层间绝缘层上对应所述多晶硅层段的P型或N型重掺杂区域上方分别形成第一接触孔；步骤(9)、在所述层间绝缘层上沉积并图案化第二金属层，形成源极及漏极，所述源极及漏极分别经由所述第一接触孔与所述多晶硅层段的源区及漏区相接触。