[发明专利]一种采用STT-MRAM作为单一存储器的微控制器在审

专利信息
申请号: 201510898109.6 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN105527889A 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 徐庶;蒋信;李辉辉;左正笏;韩谷昌;刘瑞盛;孟皓;刘波 申请(专利权)人: 中电海康集团有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 代理人: 张慧英
地址: 311121 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于微控制器领域,具体涉及一种采用STT-MRAM作为单一存储器的微控制器,包括:中央处理器、STT-MRAM存储器、SRAM接口、其他逻辑和信号处理部件,所述STT-MRAM存储器包括运行数据存取区和程序存储区;所述中央处理器与STT-MRAM存储器之间通过SRAM接口连接,中央处理器与其他逻辑和信号处理部件连接。本发明的有益效果在于:利用STT-MRAM不同分区分别完成存取运行数据,存储源程序代码和用户配置的功能,该新型架构不仅有效提升了MCU中存储器容量,可靠性并降低了存储器制造成本,还简化了接口电路,节省了芯片面积。
搜索关键词: 一种 采用 stt mram 作为 单一 存储器 控制器
【主权项】:
一种采用STT‑MRAM作为单一存储器的微控制器,其特征在于包括:中央处理器(21)、STT‑MRAM存储器(22)、SRAM接口(23)、其他逻辑和信号处理部件(24),所述STT‑MRAM存储器(22)包括运行数据存取区(221)和程序存储区(222);所述中央处理器(21)与STT‑MRAM存储器(22)之间通过SRAM接口(23)连接,中央处理器(21)与其他逻辑和信号处理部件(24)连接。
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