[发明专利]一种高PF填谷式装置

摘要

本发明公开了一种高PF填谷式装置，它包括：全波桥式整流电路；其为第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4四个整流二极管组成的整流电路,整流电路设有正、负极连接点；新型填谷式滤波电路；其为第一电解电容C1、第二电解电容C2和第三电解电容C3三个等量电解电容和第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10六个二极管组成的电路；电网电源接入开关电源通过保险管连接到全波桥式整流电路，全波桥式整流电路连接新型填谷式滤波电路；所述新型填谷式滤波电路的功率因数PE达0.93以上。本发明改进为三只电解电容和六个二极管组成的新型填谷电路，从而达到高效节能的目的。

主权项

一种高PF填谷式装置，其特征在于，它包括：全波桥式整流电路；其为第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4四个整流二极管组成的整流电路,所述整流电路设有正、负极连接点；填谷式滤波电路；其为第一电解电容C1、第二电解电容C2和第三电解电容C3三个等量电解电容和第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10六个二极管组成的电路；电网电源接入开关电源通过保险管连接到所述全波桥式整流电路，所述全波桥式整流电路连接所述填谷式滤波电路；所述填谷式滤波电路的功率因数PE达0.93以上。