[发明专利]单晶硅生长氧含量控制方法有效
| 申请号： | 201510899270.5 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105506731B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;宋洪伟 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B30/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明技术是一种单晶硅生长氧含量控制方法。在石英坩埚底部采用一个与坩埚外径以及外形匹配相同的环形振荡源，振荡源环产生一个纵向正弦振荡波，从坩埚的底部传入到熔体中，传播方向为垂直向上的直线传播。振荡波传输到熔体中，对坩埚周围的高温硅熔体产生空化作用、搅拌作用和纵向流动作用，在坩埚壁附近区域形成向上的流动，加速高浓度区的氧向熔体自由表面流动，同时降低熔体中的Si‑O气体的溶解度，促进Si‑O在熔体表面的挥发。从而达到控制硅单晶中氧浓度的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 含量 控制 技术 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅生长氧含量控制方法；在石英坩埚底部采用一个与坩埚外径相同的环形振荡源，振荡源产生一个纵向正弦振荡波，从坩埚的底部传入到熔体中，传播方向为垂直向上的直线传播；振荡波传输到坩埚壁附近硅熔体中，对硅熔体产生空化作用、搅拌作用和纵向流动作用，在坩埚壁附近区域形成向上的流动，加速高浓度区的氧向熔体自由表面流动，同时降低熔体中的Si‑O气体的溶解度，促进Si‑O在熔体表面的挥发，从而达到控制硅单晶中氧浓度的作用。
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