[发明专利]具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池及其制备方法，采用金属有机化学气相沉积法MOCVD，外延制备含有AlAs/GaAs的Bragg反射器、InGaAs量子阱的InGaAs/InGaAs双结激光电池，并包含氧化铝、氧化钛的双层减反射膜系。更大限度地实现了激光电池在响应光谱内的转换效率。

主权项

一种具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池的制备方法，其特征在于，采用金属有机化学气相沉积法MOCVD，在GaAs/Ge衬底上面依次生长AlAs/GaAs的Bragg反射器、InGaAs量子阱、第一结InGaAs子电池、隧穿结、第二结InGaAs子电池、盖帽层，具体包括以下步骤：(1)在GaAs/Ge衬底上，外延生长InGaAs缓冲层；(2)外延生长AlAs/GaAs的Bragg反射器；(3)外延生长InGaAs量子阱；(4)外延生长第一结InGaAs子电池：依次生长GaInP背场、InxGa1－xAs基区、InxGa1－xAs发射区、GaInP窗口层；(5)外延生长隧穿结：依次生长InxGa1－xAs层和p型InxGa1－xAs层；(6)外延生长第二结InGaAs子电池：依次生长GaInP背场、InxGa1－xAs基区、InxGa1－xAs发射区、GaInP窗口层；(7)外延生长盖帽层；(8)制作电池上下电极；(9)制备电池减反射膜。