[发明专利]基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路在审
申请号: | 201510899951.1 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN105469756A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 李亚锋;邬金芳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/1345 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路,通过正向扫描直流控制信号(U2D)和反向扫描直流控制信号(D2U)控制第一节点(Q(n))和第二节点(P(n))的电位,时钟信号(CK(M))仅负责对应级GOA单元的输出,能够有效的降低时钟信号的负载,保证多级GOA单元连接后时钟信号的整体负载降低,提升GOA电路的输出稳定性,还可以实现GOA电路的正反向扫描,且每级GOA单元仅包括十个薄膜晶体管,有利于减少GOA电路的布局空间,实现显示装置的窄边框设计。 | ||
搜索关键词: | 基于 ltps 半导体 薄膜晶体管 goa 电路 | ||
【主权项】:
一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路,其特征在于,包括:级联的多级GOA单元,每一级GOA单元均包括:扫描控制单元(100)、输出单元(200)、及节点控制单元(300);设n为正整数,除第一级、第二级、倒数第二级、及最后一级GOA单元外,在第n级GOA单元中:所述扫描控制单元(100)包括:第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于上两级第n‑2级GOA单元的输出端(G(n‑2)),源极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D),漏极电性连接于第三节点(K(n));以及第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于下两级第n+2级GOA单元的输出端(G(n+2)),源极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U),漏极电性连接于第三节点(K(n));所述输出单元(200)包括:第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(Q(n)),源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M)),漏极电性连接于输出端(G(n));以及自举电容(C1),所述自举电容(C1)的一端电性连接于第一节点(Q(n)),另一端电性连接于输出端(G(n));所述节点控制单元(300)包括:第四薄膜晶体管(T4),所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于恒压高电位(VGH),源极电性连接于第三节点(K(n)),漏极电性连接于第一节点(Q(n));第五薄膜晶体管(T5),所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二节点(P(n)),漏极电性连接于第三节点(K(n)),源极电性连接于恒压低电位(VGL);第六薄膜晶体管(T6),所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第二节点(P(n)),漏极电性连接于输出端(G(n)),源极电性连接于恒压低电位(VGL);第七薄膜晶体管(T7),所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于恒压高电位(VGH),源极电性连接于第四节点(H(n)),漏极电性连接于第二节点(P(n));第八薄膜晶体管(T8),所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于第三节点(K(n)),漏极电性连接于第四节点(H(n)),源极电性连接于恒压低电位(VGL);第九薄膜晶体管(T9),所述第九薄膜晶体管(T9)的栅极与源极均电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D),漏极电性连接于第四节点(H(n));以及第十薄膜晶体管(T10),所述第十薄膜晶体管(T10)的栅极与源极均电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U),漏极电性连接于第四节点(H(n));所述正向扫描直流控制信号(U2D)与反向扫描直流控制信号(D2U)的电位相反。
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