[发明专利]一种制备材料芯片的正交组合掩膜方法

摘要

一种制备材料芯片的正交组合掩膜方法，设制备n种元素K个浓度水平材料芯片，按浓度水平数K刻制K块条状基础模块K₁,K₂,…K_j…,K_K；按不同顺序纵向排列K个基础模块，拼合成K个方形模块；再将方形膜块按K*(n‑1)或K*(K‑1)正交表，拼接成n块单个元素沉积掩膜；单个元素沉积时每沉积一个浓度水平，掩膜平移一格，移动K次后，完成K个浓度水平的沉积；通过K*n次沉积，最终得到K*(n‑1)或K*(K‑1)个样品；单个元素每个浓度水平出现n‑1或(K‑1)次，通过平均值分析和极差分析可得掺杂元素及其浓度水平。本发明具有元素分立、元素浓度准连续的同步筛选优势；材料芯片面积的利用率更高，筛选效率更快。

主权项

1.一种制备材料芯片的正交组合掩膜方法，其特征是：设制备n种元素K个浓度水平材料芯片，按照浓度水平数K刻制K块条状基础模块K₁，K₂，…K_j…，K_K；按不同顺序纵向排列这K个基础模块，拼合成K个方形模块；随后，当n大于等于K时，将方形膜块按K*(n‑1)，拼接成n块单个元素沉积掩膜；当n小于K时，将方形膜块按K*(K‑1)正交表，拼接成n块单个元素沉积掩膜；单个元素沉积时每沉积一个浓度水平，掩膜平移一格，移动K次后，完成K个浓度水平的沉积；通过K*n次沉积，材料芯片上最终得到K*(n‑1)或K*(K‑1)个样品；单个元素每个浓度水平出现n‑1或(K‑1)次，通过平均值分析和极差分析可得掺杂元素及其浓度水平；所述的K*(n‑1)正交表是以标准L_K*n(Kⁿ⁺¹)型正交表为基础，去除正交表中第1列及前K行的剩余部分的正交表；所述的K*(K‑1)正交表是以标准L_K*K(Kⁿ⁺¹)型正交表为基础，去除正交表中第1列及前K行的剩余部分的正交表。