[发明专利]一种光写入阻变存储单元及其制备、操作方法和应用有效
| 申请号： | 201510900921.8 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105322091B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 毛奇;赵宏武;冯子力;林伟坚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 | 代理人： | 刘丹妮 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光写入阻变存储单元，其包括：玻璃衬底；位于所述玻璃衬底上的底电极；位于所述底电极上的阻变存储介质层；位于所述阻变存储介质层上的顶电极；其中，所述底电极和顶电极中至少有一个为透明氧化物电极，所述阻变存储介质层的材料为对光响应的非晶二元金属氧化物或对光响应的常温下未达到热平衡的多元金属氧化物，所述顶电极上还设置有Au层，并且其中，所述顶电极的横截面积小于阻变存储介质层的横截面积，或者所述顶电极和阻变存储介质层的横截面积相等且均小于底电极的面积。还提供了该光写入阻变存储单元的制备方法、操作方法及其应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 写入 存储 单元 及其 制备 操作方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光写入阻变存储单元，其特征在于，该阻变存储单元包括：玻璃衬底；位于所述玻璃衬底上的底电极；位于所述底电极上的阻变存储介质层；位于所述阻变存储介质层上的顶电极；其中，所述底电极和顶电极中至少有一个为透明氧化物电极，所述阻变存储介质层的材料为对光响应的非晶二元金属氧化物，采用磁控溅射法制备阻变存储介质层，磁控溅射的功率为150W；所述顶电极上还设置有Au层，所述Au层的厚度为50‑500nm；并且其中，所述顶电极的横截面积小于阻变存储介质层的横截面积，或者所述顶电极和阻变存储介质层的横截面积相等且均小于底电极的面积。
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