[发明专利]一种基于GaSb的GaxIn1-xSb/GaSb串联结构热光伏电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201510900948.7 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105355698A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张宝林;吕游;李国兴;徐佳新;徐德前 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王淑秋;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种基于GaSb的GaxIn1-xSb/GaSb串联结构的热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。结构从上到下依次为：上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有源区、n型GaSb、重掺杂的n+型GaSb隧穿层、重掺杂的p+型GaSb隧穿层、p型Gax1In1-x1Sb有源区、n型Gax2In1-x2Sb有源区、重掺杂的n+型GaSb背面电场层、n型GaSb衬底和背电极。本发明利用低压金属有机物化学气相外延(LP-MOCVD)技术，在n型GaSb衬底上制备结构为n型GaSb衬底/n+型GaSb背面电场层/n型Gax2In1-x2Sb有源层/p型Gax1In1-x1Sb有源层/p+型GaSb隧穿层/n+型GaSb隧穿层/n型GaSb有源层/p型GaSb有源层/p+型ZnS窗口层的基于GaSb的GaxIn1-xSb/GaSb串联结构热光伏电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gasb ga sub in sb 串联 结构 热光伏 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构热光伏电池，其特征在于：结构从上到下依次为上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有源区、n型GaSb衬底、重掺杂的n+型GaSb隧穿层、重掺杂的p+型GaSb隧穿层、p型Gax1In1‑x1Sb有源区、n型Gax2In1‑x2Sb有源区、重掺杂的n+型GaSb背面电场层、n型GaSb衬底和背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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