[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，当将晶片分割成各个器件时，能够在不污染器件的侧面和正面的情况下实施。晶片的加工方法包含如下工序：改质层形成工序，将聚光点定位在晶片内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；以及背面磨削工序，一边供给磨削水一边磨削晶片的背面而形成为规定的厚度并且以改质层作为断裂起点而沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。晶片的加工方法还包含：保护膜形成工序，在实施背面磨削工序之前，在晶片的正面上包覆因照射紫外线而硬化的液状树脂从而形成保护膜；保护膜硬化工序，对保护膜照射紫外线使其硬化；以及保护带粘贴工序，在保护膜的表面上粘贴保护带。

主权项

一种晶片的加工方法，该晶片中，在正面上以格子状形成有多条分割预定线，并且在由该多条分割预定线划分出的各区域中形成有器件，沿着该分割预定线将该晶片分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：保护膜形成工序，在晶片的正面上包覆液状树脂而形成保护膜，该液状树脂因照射紫外线而硬化；保护膜硬化工序，对该保护膜照射紫外线而使保护膜硬化；保护带粘贴工序，在该保护膜的表面上粘贴保护带；改质层形成工序，将聚光点定位在晶片内部而沿着该分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着该分割预定线形成改质层；以及背面磨削工序，在实施了该保护带粘贴工序和该改质层形成工序之后，一边供给磨削水一边对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚度，并且以该改质层作为断裂起点而沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。