[发明专利]提高背照式红外图像传感器性能的方法有效
| 申请号： | 201510901227.8 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105428379B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高背照式红外图像传感器性能的方法，包括：光线照射至背照式红外图像传感器；背照式红外图像传感器具有深度大于等于10微米的半导体层适于吸收光线中的近红外光线。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 背照式 红外 图像传感器 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高背照式红外图像传感器性能的方法，其特征在于，所述方法包括：光线照射至背照式红外图像传感器；背照式红外图像传感器具有深度大于等于10微米的半导体层适于吸收光线中的近红外光线；所述背照式红外图像传感器包括：深度大于等于10微米的背面深沟槽隔离结构；所述背面深沟槽隔离结构包括填充其内的导电材质及导电材质外部的介质层；提供负压于导电材质，使靠近背面深沟槽隔离结构的半导体区域侧向耗尽,降低暗电流；对应于背面深沟槽隔离结构的浅沟槽隔离结构及形成于背面深沟槽隔离结构的浅沟槽隔离结构之间的隔离阱区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司，未经格科微电子(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510901227.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
