[发明专利]薄膜体声波共振器滤波器的制造方法

摘要

一种声波共振器，包括基本水平的压电材料膜，在所述膜的上表面和下表面上分别具有上金属电极和下金属电极，所述膜围绕其周边通过粘附聚合物附着在矩形互连框架的内侧壁上，用于封装的所述框架的侧壁基本垂直于所述膜并且包括在电介质基质中的导电通孔，所述导电通孔在所述侧壁内基本垂直延伸，所述金属电极与所述导电通孔通过在所述膜的上表面上的特征层导电连接，在所述互连框架的顶端和底端连接有上盖和下盖以密封所述声波共振器使其与周围环境隔离。

主权项

1.一种制造薄膜体声波共振器滤波器的方法，包括：(a)获得芯片，所述芯片包括牺牲基板和在所述牺牲基板上的电极层之间生长的压电材料膜；(b)获得电介质框架栅格，所述电介质框架栅格限定一空腔阵列，使得每个空腔被框架包围，所述电介质框架栅格还包括穿过所述框架延伸的导电通孔；(c)在所述框架栅格的下表面上粘附一粘性可分离胶带；(d)将所述芯片放置在每个空腔中，通过所述粘性可分离胶带的粘性保持所述芯片的位置；(e)移除所述牺牲基板，在所述压电材料膜的上方及四周层压粘附聚合物，并移除所述粘性可分离胶带；(f)在每个所述压电材料膜周围钻孔穿过所述粘附聚合物形成至少第一通孔和第二通孔，以及所述第二通孔穿过所述压电材料膜到达其下方的电极层；(g)在所述框架的上表面上，制造连接在所述第一通孔的上端与所述压电材料膜上方的电极层之间的第一连接，并且制造连接在所述第二通孔的上端与所述压电材料膜下方的电极层之间的第二连接，以及制造包封所述第一通孔的上端、所述第二通孔的上端以及所述第一连接和第二连接的上连接环；(h)在所述框架的下表面上，制造连接在所述第一通孔和所述第二通孔的下端上的下焊盘，以及制造包封所述第一通孔和所述第二通孔的下端的下连接环；(i)制造从所述下焊盘延伸至所述下连接环下方的用于表面贴装的引脚；(j)移除在下电极下方的所述粘附聚合物；(k)将上盖附着至所述上连接环，将下盖附着至所述下连接环；以及(l)从所述电介质框架栅格上切割分离单个的封装薄膜体声波共振器滤波器。