[发明专利]一种涂层导体REBCO超导层的生长方法在审
申请号: | 201510901993.4 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN105386014A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 刘胜利;何茂赟;王海云 | 申请(专利权)人: | 南京大学(苏州)高新技术研究院 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;H01B12/06 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种涂层导体REBCO超导层的生长方法,具体涉及一种通过Gd离子或者Sm离子部分替代Y离子的方式在LAO基片上制备REBCO超导层的方法,有效克服YBCO超导层的厚度效应,提高超导载流能力。该制备方法利用有机金属溶液沉积技术。先按金属阳离子比为Y:RE:Ba:Cu:O=1-x:x:2:3.10进行前驱液的配置,然后用浸渍提拉机在铝酸镧基片上进行多次提拉镀膜,把镀好膜的样品进行热处理以及退火处理,得到在铝酸镧基片上生长的YBCO超导层。利用该方法能生产出厚度达到5μm的高载流能力的REBCO涂层导体,临界电流可达500A/cm。 | ||
搜索关键词: | 一种 涂层 导体 rebco 超导 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种涂层导体REBCO超导层的生长方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:将乙酸钇与乙酸钆或者乙酸钐,再与乙酸钡以及乙酸铜按照金属阳离子浓度比:Y:RE:Ba:Cu:O=1‑x:x:2:3.10溶于去离子水得到阳离子浓度为1mol/L的溶液A,其中,RE为Gd或者Sm,x的值为0.1~0.5;步骤2:在溶液A加入过量丙酸,并且搅拌均匀充分反应,真空65℃~75℃条件下减压蒸馏得到溶液B;步骤3:在溶液B中加入甲醇,调整溶液中的金属阳离子浓度到1.5mol/L~2mol/L,加入PVB作为增稠剂,增稠剂与溶液的质量比为1:10~1:20,搅拌均匀,得到胶体前驱液;步骤4:采用浸渍提拉机对铝酸镧基片进行镀膜,使胶体前驱液均匀附着在铝酸镧基片上,镀膜后依次进行热解、退火,最终完成超导层的生长。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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