[发明专利]一种调控磁电阻比值的方法在审

专利信息
申请号: 201510902153.X 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN105552213A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 颜世申;田玉峰;梅良模;李欢欢;张昆;黄启坤 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 吕利敏
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种调控磁电阻比值的方法,包括:1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流;2)同时,在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1,此时输出的交流电流信号存在I1的平移:i=I0sin(wt)+I1;3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH,其中H代表外磁场的强度,T代表所述交流电流的周期;4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I1的大小,从而调节整流电压VH的大小,最终调节磁电阻比值MR=(VH-V0)/V0。本发明是利用所述于器件既具有整流磁电阻,又具有直流磁电阻,进而实现调节整流电压VH的大小,最终达到调节磁电阻比值的技术效果。
搜索关键词: 一种 调控 磁电 比值 方法
【主权项】:
一种调控磁电阻比值的方法,其特征在于,该方法包括:1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流;2)同时,在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1,此时输出的交流电流信号存在I1的平移:i=I0sin(wt)+I1;3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH其中H代表外磁场的强度,T代表所述交流电流的周期;4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I1的大小,从而调节整流电压VH的大小,最终调节磁电阻比值MR=(VH‑V0)/0
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