[发明专利]一种调控磁电阻比值的方法在审
申请号: | 201510902153.X | 申请日: | 2015-12-08 |
公开(公告)号: | CN105552213A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 颜世申;田玉峰;梅良模;李欢欢;张昆;黄启坤 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 吕利敏 |
地址: | 250199 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
一种调控磁电阻比值的方法,包括:1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流;2)同时,在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1,此时输出的交流电流信号存在I1的平移:i=I0sin(wt)+I1;3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH: |
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搜索关键词: | 一种 调控 磁电 比值 方法 | ||
【主权项】:
一种调控磁电阻比值的方法,其特征在于,该方法包括:1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流;2)同时,在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1,此时输出的交流电流信号存在I1的平移:i=I0sin(wt)+I1;3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH:
其中H代表外磁场的强度,T代表所述交流电流的周期;4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I1的大小,从而调节整流电压VH的大小,最终调节磁电阻比值MR=(VH‑V0)/0。
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