[发明专利]一种单温区晶体生长装置及单温区晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种用于晶体生长的单温区竖直梯度冷凝生长方法的生长装置及单温区晶体生长方法。本发明利用该晶体生长装置首先将晶体生长原料装入生长安瓿，然后测试未放入安瓿时的空炉温场分布，将测试得到的空炉温场分布曲线和晶体生长所需温场条件相结合来确定生长安瓿的放置区域，放入安瓿后，再根据实时的温场测试来调节温场至符合晶体的生长工艺要求后，保温一段时间使晶体充分熔融，并设置降温程序，开始晶体生长。本发明所述方法可大幅降低单晶生长设备的成本，简化单晶生长工艺，通过炉体结构的简单设计实现温场梯度的可控，可满足多种晶体的生长需求，并且通过实时的温度调节可减少安瓿放入后对温场的扰动。

主权项

一种单温区晶体生长装置，它包括炉腔和安瓿，其特征在于所述炉腔腔体内壁安装一层炉腔加热区，所述炉腔加热区由炉腔腔壁内的控温热偶控制加热；所述炉腔内安装上下两端开口的炉管；所述炉腔放置在支撑架上，所述支撑架与炉腔腔体对应部分有圆孔，并且所述炉管穿过支撑架上的圆孔，所述炉管下端设置可移动保温堵头，并且所述可移动保温堵头下设置保温垫块；所述炉管上端用隔热材料封闭，并且所述隔热材料内穿过传动装置，所述传动装置连接安瓿，并将安瓿放入炉管内；所述炉腔连接精密温度控制器。