[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，包括第一半导体层、绝缘层、第二半导体层；在第二半导体层表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层一侧侧壁表面形成侧墙；刻蚀第二半导体层，形成第一凹槽；形成位于侧墙下方的第一氧化层；形成填充第一凹槽的第一栅极材料层及其表面的隔离层；刻蚀第一掩膜层形成第二掩膜层、刻蚀第二半导体层，形成第一初始鳍部、第二初始鳍部；对第一初始鳍部和第二初始鳍部进行横向刻蚀；在第一初始鳍部、第二初始鳍部侧壁表面形成半导体材料层及其表面的栅介质层；形成第二栅极材料层；图形化第一栅极材料层和第二栅极材料层形成背栅极和前栅极。实施方法可以提高半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，包括第一半导体层、位于第一半导体层表面的绝缘层、位于绝缘层表面的第二半导体层；在第二半导体层表面形成第一掩膜层，暴露出部分第二半导体层表面；在第一掩膜层一侧侧壁表面形成侧墙，所述侧墙覆盖部分第二半导体层；以所述第一掩膜层和侧墙为掩膜刻蚀第二半导体层，形成第一凹槽；对第一凹槽的一侧侧壁进行氧化处理，形成位于侧墙下方的第一氧化层；形成填充第一凹槽的第一栅极材料层及第一栅极材料层表面的隔离层；刻蚀所述第一掩膜层形成第二掩膜层、以所述隔离层、侧墙和第二掩膜层为掩膜刻蚀第二半导体层，形成位于侧墙下方的第一初始鳍部、位于第二掩膜层下方的第二初始鳍部；采用各向同性刻蚀工艺，对第一初始鳍部和第二初始鳍部进行横向刻蚀；在刻蚀后的第一初始鳍部、第二初始鳍部侧壁表面形成半导体材料层；在所述半导体材料层表面形成栅介质层；在所述绝缘层表面形成第二栅极材料层，所述第二栅极材料层覆盖所述隔离层、侧墙和第二掩膜层；对所述第一栅极材料层和第二栅极材料层进行图形化，分别形成背栅极和前栅极；所述背栅极和前栅极分别具有不同的栅介质层。