[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510904226.9 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106856169B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有栅极结构；在栅极结构两侧的基底内形成第一掺杂层；在栅极结构的侧壁形成第一侧墙；去除第一侧墙两侧的第一掺杂层；在第一侧墙两侧的基底内形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度高于第一掺杂层的掺杂浓度；在第一侧墙侧壁形成第二侧墙；在第二侧墙两侧的基底中形成源区或漏区。本发明通过设置第一掺杂层和第二掺杂层，且第二掺杂层的掺杂浓度高于第一掺杂层的掺杂浓度，增大了栅极结构和沟道之间的距离，增大了栅介质层与沟道载流子之间的距离，有效降低了热载流子向栅介质层注入的可能，避免形成栅电极电流和基底电流，改善晶体管的性能，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构；在栅极结构两侧的基底内形成第一掺杂层；在栅极结构的侧壁形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的第一掺杂层；在第一侧墙两侧的基底内形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂浓度高于所述第一掺杂层的掺杂浓度；在第一侧墙侧壁形成第二侧墙；在所述第二侧墙两侧的基底中形成源区或漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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